成都齐兴真空镀膜技术有限公司
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适用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜。可用于多种薄膜材料的物理化学性能研究实验、集成电路半导体器件的原理研究实验、有机无机功能薄膜研究及太阳能电池研究实验等。
样品台：可旋转、可加热。
工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅工作模式，向心溅射。
超高真空密封主要采用如下技术：玻璃金属焊接技术、陶瓷金属焊接技术、刀口无氧铜金属密封技术等、运动部件的密封，采用磁力耦合传动密封技术。
系统自动监控和保护功能强，包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等。
项 目 | 技术指标 | |
极限真空度优 | 优于2.0×10-5Pa | |
工艺腔体动态真空 | 优于3.0×10-4Pa | |
工作真空度 | 1×10-1～10 | |
漏率 | 停机12小时真空度≤10 Pa | |
磁控溅射靶（英寸） | 3个（Ф1～8英寸） | |
样品台 | Ф6英寸，数量1个 | |
真空测量 | 三路 | |
质量流量控制 | 一路～四路 | |
室体 | 单室 | 镀膜室+样品室 |
工件转动 | 自传，可调速，定位控制 | |
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